p-AlGaNホール発生層（HSL）のMg濃度を低くし，成長温度を高くすることで，254nm発光の深紫外線AlGaNダイオード（DUV）におけるドナー・アクセプター対（DAP）発光に影響を与えることの検討を行い、その結果、DAP発光を抑制することができて最大出力は3.4mW、外部量子効率（EQE）は1.2％と実現されている。

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