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研究論文 「Milliwatt-Power AlGaN Deep-UV Light-Emitting Diodes at 254 nm Emission as a Clean Alternative to Mercury Deep-UV Lamps」

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p-AlGaNホール発生層(HSL)のMg濃度を低くし,成長温度を高くすることで,254nm発光の深紫外線AlGaNダイオード(DUV)におけるドナー・アクセプター対(DAP)発光に影響を与えることの検討を行い、その結果、DAP発光を抑制することができて最大出力は3.4mW、外部量子効率(EQE)は1.2%と実現されています。

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