LP-MOVPEでn-AlGaN: Si 超格子（SLs）のバッファ層の結晶成長に挑戦しました。その結果、341nm帯UVA 多重量子井戸において、常温で56%の内部量子効率を記録し、優れた結晶品質が確認されました。最後に，SLs ベースの UVA 多重量子井戸において井戸の厚さを 2 nm とすることで，341 nm 帯 UVA LED の光出力と外部量子効率（EQE）をそれぞれ 3.5 mW と 0.5% から 7.5 mW と 1.4% に向上させることに成功しました。

詳細はこちら